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我与贝意克的故事---人物专访
【第二期】优良休息表率
【第一期】优良休息表率
联袂并进 再铸辉煌 ——百思个人成功召开股权鼓励公布年夜会
会上，董事长简述了百思个人生长的畴昔和将来，并为与会职员描画了百思宏伟蓝图及夸姣的远景与将来，极年夜的奋发和鼓舞了员工士气；并请求全部员工“顺时势、树典范、明思路、分步调、理关系”，相互共同、主动主动地展开事情，为个人接上去的各项事情有序展开打下坚固的根本。
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随后，李总讲授了股权鼓励的思惟和计划，阐述在市场合作狠恶明天，公司运营体制必须向更优、更强标的目标迈进，而股权鼓励就是很好体例，引凤筑巢，分股合心，集结人才，在共同奇迹中互动、升华，成绩年夜家更夸姣的将来！
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接上去，迎来本次年夜会的首要环节－股权鼓励签约典礼，由董事长向鼓励工具献上光荣的鲜花，绶带，颁布签约本，并宣誓合影纪念
最后，鼓励工具代表车总、孙总别离为年夜家分享本身的拼搏的经历和成功的法门；年夜家也畅所欲言、高谈雄辩，现场氛围轻松、活泼。
“股改放飞胡想，立异引领将来”本次个人公司实施股权鼓励政策，必将对企业高质量生长具有本色性鞭策感化，在企业生长史上写上浓墨重彩的一笔。最后我们祝贺百思个人借股权鼓励启动春风，获得辉煌事迹，共赢夸姣明天！
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产品描述
产品参数
反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、挑选性高的干法腐蚀技术。它是在真空体系中操纵分子气体等离子来进行刻蚀的，操纵了离子引诱化学反应来实现各向异性刻蚀，便是操纵离子能量来使被刻蚀层的大要构成容易刻蚀的毁伤层和促进化学反应，同时离子还可断根大要天生物以暴露洁净的刻蚀大要的感化。
本装备合用于通例尺寸样片（不超越φ4英寸）的刻蚀，可刻蚀的质料首要有SiO2、Si2N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体质料、部分金属等，装备具有挑选比高、刻蚀速率快、反复性好等长处。装配带负偏压，可实现更多的各向异性蚀刻表面。装配表示及什物图以下：
装配参数介绍：
- 腔体组件
刻蚀真空腔体采取圆筒形布局，优良304不锈钢材质焊接而成，直径280mm，高度180mm，正面开门，下方设有偏压样品台及多孔抽气口（抽气更均匀），样品台直径120mm，可最年夜安排直径100mm样品。主腔体上部设有带导流罩的ICP源及进气口。
- 电源体系
一套射频电源连接环抱纠缠在腔体外的螺旋线圈，使线圈产生感到耦合的电场，在电场感化下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体，一套偏压电源连接在样品台上使得等离子体产生定向活动，获得最好各向异性蚀刻表面。
- 进气及真空抽气体系
体系进气采取4路质量流量计节制进气，最年夜流量200SCCM。别的装备一路庇护气体入口，用于吹扫腔体及腔体放气。真空抽气采取一台4L双级旋片式真空泵及阀门构成，真空测量采取一套数显热偶真空计。
- 台架及节制体系
装配采取一体化设想，零件尺寸约600mm*600*700mm(高)，底部设有脚轮，刻蚀腔体牢固在台架上部，节制部分采取手动逻辑节制。
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