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会上，董事长简述了百思个人生长的畴昔和将来，并为与会职员描画了百思宏伟蓝图及夸姣的远景与将来，极年夜的奋发和鼓舞了员工士气；并请求全部员工“顺时势、树典范、明思路、分步调、理关系”，相互共同、主动主动地展开事情，为个人接上去的各项事情有序展开打下坚固的根本。
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随后，李总讲授了股权鼓励的思惟和计划，阐述在市场合作狠恶明天，公司运营体制必须向更优、更强标的目标迈进，而股权鼓励就是很好体例，引凤筑巢，分股合心，集结人才，在共同奇迹中互动、升华，成绩年夜家更夸姣的将来！
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接上去，迎来本次年夜会的首要环节－股权鼓励签约典礼，由董事长向鼓励工具献上光荣的鲜花，绶带，颁布签约本，并宣誓合影纪念
最后，鼓励工具代表车总、孙总别离为年夜家分享本身的拼搏的经历和成功的法门；年夜家也畅所欲言、高谈雄辩，现场氛围轻松、活泼。
“股改放飞胡想，立异引领将来”本次个人公司实施股权鼓励政策，必将对企业高质量生长具有本色性鞭策感化，在企业生长史上写上浓墨重彩的一笔。最后我们祝贺百思个人借股权鼓励启动春风，获得辉煌事迹，共赢夸姣明天！
- 概述
磁控溅射是操纵磁场束厄局促电子的活动（即磁控管形式），其成果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增加，使其具有了“低温”、“高速”两年夜特性。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和反复性好、薄膜与基片的附着才气强，膜层纯度高。
首要技术机能目标
体系布局及服从概述
本镀膜体系为方形真空室布局，后部抽气，正面开门布局，采取优良奥氏体不锈钢制造。溅射堆积室底板上装置有三只共焦磁控溅射靶（溅射靶角度可调），出射束流标的目标朝向基片架并在基片上获得薄膜。该装备布局简朴，可用于研究和开辟纳米级单层及多层服从膜，如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜质料。
事情道理
溅射堆积体系为一三靶溅射堆积体系，各靶可自力/按序/共同事情，漫衍在一个圆周上。各靶牢固在真空室底板上，靶基距可以经由过程基片架的起落来调度（靶基距60mm～90mm可调）。基片架可起落，采取磁流体密封装配+步进机电驱动，满足基片扭转请求。
A.基片架服从
体系设一个基片架，可扭转+起落，同时可经由过程卤素灯对基片在堆积涂层过程中进行加热；加热体系采取日本导电温控仪及电力组件，温度PID节制。基片扭转操纵磁流体密封装配与步进机电配套实现。
B. 镀膜过程
单质薄膜的制备：在某只靶开启的环境下，可在基片上完成单质薄膜的制备。
多层膜的制备：三只磁控溅射靶可按照需求，遵循必然的启停依次（辅以样品架的自转，均经由过程计较机节制），完成多层膜的镀制过程。
异化物薄膜的制备：三只靶中的两只/三只同时事情，可以完成具有两/三种成分构成的异化物薄膜制备。
化合物薄膜：本体系可以经由过程两种体例制备化合物薄膜。（1）采取射频电源，操纵具有特定构成的靶材来获得化合物薄膜；（2）采取直流/射频溅射电源，操纵单质靶材在通入反应气体的前提下制备化合物薄膜。
别的，磁控溅射体系充分考虑加热、高压溅射、偏压溅射等请求。可以在上述各种薄膜的制备过程中将偏压、加热等前提引入到镀膜过程中。与此同时，上述镀膜过程都可以在手动、主动两种体例下完成。
C. 真空获得及压力节制
真空获得体系操纵涡轮分子泵作为主泵，机器旋片泵作为前级泵对真空体系抽气。真空度节制经由过程和主泵相连的插板阀来实现。
D．电源
二只500W直流电源、一只500W射频电源（含主动婚配器）
2KW加热温控电源一套。
体系首要参数
- 极限真空度：≤5×10-5Pa（洁净+烘烤去气前提下12小时内获得）；
- 抽真空时候：40分钟内，≤5×10-4Pa；
- 基片加热温度：≤600℃（碘钨灯加热）；
- 基片尺寸：≤Φ2inch的圆片；
- 基片架数量：1套；
- 靶材尺寸：直径60mm；
- 靶数量：3只；
- 真空室烘烤温度：≤150℃；
- 真空室尺寸：400×400×H450（按照实际环境可能会恰当调剂）；
- 基片架挪动间隔：≤50mm（轴向标的目标）；
- 靶轴线和基片扭转轴线夹角：共溅射；
- 气路体系：4路进气，此中1路为放气利用；